РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXSA20N60B2D1

Производитель: IXYS
Арт: 81649

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Obsolete 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 35A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A 
Power - Max 190W 
Switching Energy 380µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 33nC 
Td (on/off) @ 25°C 30ns/116ns 
Test Condition 480V, 16A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 30ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package TO-263 AA (IXSA) 
Base Part Number IXS*20N60 

Описание

IGBT 600V 35A 190W TO263 - IGBT PT 600V 35A 190W Surface Mount TO-263 AA (IXSA)

IGBT транзисторы IXSA20N60B2D1

Datasheet IXSA20N60B2D1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
IXSA20N60B2D1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.