РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXSH30N60C

Производитель: IXYS
Арт: 81983

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 55A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 110A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A 
Power - Max 200W 
Switching Energy 700µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 100nC 
Td (on/off) @ 25°C 30ns/90ns 
Test Condition 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AD (IXSH) 
Base Part Number IXS*30N60 

Описание

IGBT 600V 55A 200W TO247AD - IGBT PT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)

IGBT транзисторы IXSH30N60C

Datasheet IXSH30N60C (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
IXSH30N60C
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.