РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXSK30N60BD1

Производитель: IXYS
Арт: 82111

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 55A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 110A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 55A 
Power - Max 200W 
Switching Energy 1.5mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 100nC 
Td (on/off) @ 25°C 30ns/150ns 
Test Condition 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 50ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package TO-264AA(IXSK) 
Base Part Number IXS*30N60 

Описание

IGBT 600V 55A 200W TO264 - IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-264AA(IXSK)

IGBT транзисторы IXSK30N60BD1

Datasheet IXSK30N60BD1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
IXSK30N60BD1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.