РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXSK35N120BD1

Производитель: IXYS
Арт: 81888

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 70A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 140A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 35A 
Power - Max 300W 
Switching Energy 5mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 120nC 
Td (on/off) @ 25°C 36ns/160ns 
Test Condition 960V, 35A, 5 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 40ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package TO-264AA(IXSK) 
Base Part Number IXS*35N120 

Описание

IGBT 1200V 70A 300W TO264 - IGBT PT 1200V 70A 300W Through Hole TO-264AA(IXSK)

IGBT транзисторы IXSK35N120BD1

Datasheet IXSK35N120BD1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
IXSK35N120BD1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.