РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXSP10N60B2D1

Производитель: IXYS
Арт: 81645

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Obsolete 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 20A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A 
Power - Max 100W 
Switching Energy 430µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 17nC 
Td (on/off) @ 25°C 30ns/180ns 
Test Condition 480V, 10A, 30 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 25ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220AB 
Base Part Number IXS*10N60 

Описание

IGBT 600V 20A 100W TO220AB - IGBT PT 600V 20A 100W Through Hole TO-220AB

IGBT транзисторы IXSP10N60B2D1

Datasheet IXSP10N60B2D1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 15 шт.
Цена доступна по запросу
IXSP10N60B2D1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.