| Manufacturer | IXYS |
| Series | TrenchMV™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 430W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263-7 (IXTA..7) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7 - N-Channel 75V 200A (Tc) 430W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
Транзисторы полевые IXTA200N075T7
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.