РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXTA70N085T

Производитель: IXYS
Арт: 128887

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series TrenchMV™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2570pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 176W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 25A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-263 (IXTA) 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 85V 70A TO-263 - N-Channel 85V 70A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)

Транзисторы полевые IXTA70N085T

Datasheet IXTA70N085T (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
IXTA70N085T
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.