РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXTH180N085T

Производитель: IXYS
Арт: 128912

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series TrenchMV™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 430W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 25A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-247 (IXTH) 
Package / Case TO-247-3 

Описание

MOSFET N-CH 85V 180A TO-247 - N-Channel 85V 180A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Транзисторы полевые IXTH180N085T

Datasheet IXTH180N085T (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
IXTH180N085T
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.