РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXTN320N10T

Производитель: IXYS
Арт: 128808

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 320A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 
Vgs (Max) ±20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 680W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 
Operating Temperature 
Mounting Type Chassis Mount 
Supplier Device Package SOT-227B 
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC 

Описание

MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B - N-Channel 100V 320A (Tc) 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Транзисторы полевые IXTN320N10T

Datasheet IXTN320N10T (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
IXTN320N10T
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.