РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXTP102N15T

Производитель: IXYS
Арт: 130624

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 102A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5220pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 455W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 500mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220AB 
Package / Case TO-220-3 

Описание

MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 - N-Channel 150V 102A (Tc) 455W (Tc) Through Hole TO-220AB

Транзисторы полевые IXTP102N15T

Datasheet IXTP102N15T (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
IXTP102N15T
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.