| Manufacturer | IXYS |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P - N-Channel 55V 180A (Tc) Through Hole TO-3P
Транзисторы полевые IXTQ180N055T
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.