| Manufacturer | IXYS |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 25A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 - P-Channel 85V 50A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Транзисторы полевые IXTT50P085
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.