| Manufacturer | IXYS |
| Series | TrenchMV™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 256pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 6A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 - N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252
Транзисторы полевые IXTY12N06T
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.