| Manufacturer | IXYS |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | ISOPLUS220™ |
| Package / Case | ISOPLUS220™ |
MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220 - N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Транзисторы полевые IXUC200N055
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.