РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXXX200N65B4

Производитель: IXYS
Арт: 79707
1 981.86 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series GenX4™, XPT™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 370A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 1000A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 160A 
Power - Max 1150W 
Switching Energy 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 553nC 
Td (on/off) @ 25°C 62ns/245ns 
Test Condition 400V, 100A, 1 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package PLUS247™-3 

Описание

IGBT 650V 370A 1150W PLUS247 - IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole PLUS247™-3

IGBT транзисторы IXXX200N65B4

Datasheet IXXX200N65B4 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 56 шт.
Мин. кол-воЦена
1 981.86 р. 
10 1 801.93 р. 
25 1 666.80 р. 
100 1 531.64 р. 
250 1 396.50 р. 
IXXX200N65B4
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.