РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXYA20N65B3

Производитель: IXYS
Арт: 80610
248.21 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series XPT™, GenX3™ 
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 58A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 108A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A 
Power - Max 230W 
Switching Energy 500µJ (on), 700µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 29nC 
Td (on/off) @ 25°C 12ns/103ns 
Test Condition 400V, 20A, 20 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 25ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package TO-263 

Описание

IGBT - IGBT 650V 58A 230W Surface Mount TO-263

IGBT транзисторы IXYA20N65B3

Datasheet IXYA20N65B3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Мин. кол-воЦена
248.21 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.