РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXYB82N120C3H1

Производитель: IXYS
Арт: 81322
2 035.19 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series GenX3™, XPT™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 164A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 320A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 82A 
Power - Max 1040W 
Switching Energy 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 215nC 
Td (on/off) @ 25°C 29ns/192ns 
Test Condition 600V, 80A, 2 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 420ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package PLUS264™ 

Описание

IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264 - IGBT 1200V 164A 1040W Through Hole PLUS264™

IGBT транзисторы IXYB82N120C3H1

Datasheet IXYB82N120C3H1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Мин. кол-воЦена
2 035.19 р. 
IXYB82N120C3H1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.