РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXYP10N65C3D1M

Производитель: IXYS
Арт: 80564
214.20 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series XPT™, GenX3™ 
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 15A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 50A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A 
Power - Max 53W 
Switching Energy 240µJ (on), 170µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 18nC 
Td (on/off) @ 25°C 20ns/77ns 
Test Condition 400V, 10A, 50 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 26ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 
Supplier Device Package TO-220 

Описание

IGBT - IGBT 650V 15A 53W Through Hole TO-220

IGBT транзисторы IXYP10N65C3D1M

Datasheet IXYP10N65C3D1M (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Мин. кол-воЦена
214.20 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.