РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXYP20N65C3D1M

Производитель: IXYS
Арт: 80186
333.54 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series GenX3™, XPT™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 18A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A 
Power - Max 50W 
Switching Energy 430µJ (on), 350µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 30nC 
Td (on/off) @ 25°C 19ns/80ns 
Test Condition 400V, 20A, 20 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 30ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220AB 

Описание

IGBT 650V 18A 50W TO220 - IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB

IGBT транзисторы IXYP20N65C3D1M

Datasheet IXYP20N65C3D1M (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Мин. кол-воЦена
333.54 р. 
10 301.61 р. 
25 269.28 р. 
100 242.35 р. 
250 215.42 р. 
500 188.50 р. 
1,000 156.18 р. 
2,500 145.41 р. 
IXYP20N65C3D1M
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.