РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXYX100N65B3D1

Производитель: IXYS
Арт: 81267
1 560.94 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series GenX3™, XPT™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 225A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 460A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 70A 
Power - Max 830W 
Switching Energy 1.27mJ (on), 1.37mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 168nC 
Td (on/off) @ 25°C 29ns/150ns 
Test Condition 400V, 50A, 3 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 156ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package PLUS247™-3 

Описание

IGBT 650V 188A 1150W PLUS247 - IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247™-3

IGBT транзисторы IXYX100N65B3D1

Datasheet IXYX100N65B3D1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 15 шт.
Мин. кол-воЦена
1 560.94 р. 
IXYX100N65B3D1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.