| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 15.8A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 - P-Channel 100V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Транзисторы полевые JAN2N6898
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.