РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

MG12150D-BA1MM

Производитель: Littelfuse Inc.
Арт: 75114
11 944.20 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Littelfuse Inc. 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 210A 
Power - Max 1100W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 150A (Typ) 
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package D3 

Описание

IGBT 1200V 210A 1100W PKG D - IGBT Module Half Bridge 1200V 210A 1100W Chassis Mount D3

IGBT модули MG12150D-BA1MM

Datasheet MG12150D-BA1MM (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 53 шт.
Мин. кол-воЦена
11 944.20 р. 
10 11 198.07 р. 
25 10 675.48 р. 
100 10 078.26 р. 
MG12150D-BA1MM
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.