РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

MII150-12A4

Производитель: IXYS
Арт: 76031
11 609.64 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 180A 
Power - Max 760W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 100A 
Current - Collector Cutoff (Max) 7.5mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.6nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Y3-DCB 
Supplier Device Package Y3-DCB 
Base Part Number MII 

Описание

MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB - IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 180A 760W Chassis Mount Y3-DCB

IGBT модули MII150-12A4

Datasheet MII150-12A4 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
11 609.64 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.