РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

MII75-12A3

Производитель: IXYS
Арт: 75736
6 093.82 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 90A 
Power - Max 370W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A 
Current - Collector Cutoff (Max) 4mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Y4-M5 
Supplier Device Package Y4-M5 
Base Part Number MII 

Описание

MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5 - IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 90A 370W Chassis Mount Y4-M5

IGBT модули MII75-12A3

Datasheet MII75-12A3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
6 093.82 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.