РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

MMIX1X200N60B3

Производитель: IXYS
Арт: 81362
3 410.37 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series GenX3™, XPT™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 223A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 1000A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A 
Power - Max 625W 
Switching Energy 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 315nC 
Td (on/off) @ 25°C 48ns/160ns 
Test Condition 360V, 100A, 1 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case 24-PowerSMD, 21 Leads 
Supplier Device Package 24-SMPD 

Описание

IGBT 600V 223A 625W SMPD - IGBT PT 600V 223A 625W Surface Mount 24-SMPD

IGBT транзисторы MMIX1X200N60B3

Datasheet MMIX1X200N60B3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Мин. кол-воЦена
3 410.37 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.