РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

MTB30P06VT4G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130399

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V 
Vgs (Max) ±15V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2190pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 15A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D2PAK 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK - P-Channel 60V 30A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK

Транзисторы полевые MTB30P06VT4G

Datasheet MTB30P06VT4G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
MTB30P06VT4G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.