РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NDBA170N06AT4H

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 135477

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15800pF @ 20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 90W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 50A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D²PAK (TO-263) 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 60V 170A DPAK - N-Channel 60V 170A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

Транзисторы полевые NDBA170N06AT4H

Datasheet NDBA170N06AT4H (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
NDBA170N06AT4H
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.