Manufacturer | ON Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6950pF @ 50V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 50A, 15V |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK - N-Channel 100V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Транзисторы полевые NDBA180N10BT4H
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.