РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NDBA180N10BT4H

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 135478

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6950pF @ 50V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 200W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 50A, 15V 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D²PAK (TO-263) 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 100V 180A DPAK - N-Channel 100V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

Транзисторы полевые NDBA180N10BT4H

Datasheet NDBA180N10BT4H (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
NDBA180N10BT4H
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.