РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NDT01N60T1G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 135586

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 200mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261) 
Package / Case TO-261-4, TO-261AA 

Описание

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223 - N-Channel 600V 400mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Транзисторы полевые NDT01N60T1G

Datasheet NDT01N60T1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
NDT01N60T1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.