РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB03N60R2DT4G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 79343
95.88 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 9A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 12A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A 
Power - Max 49W 
Switching Energy 50µJ (on), 27µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 17nC 
Td (on/off) @ 25°C 27ns/59ns 
Test Condition 300V, 3A, 30 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 65ns 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 
Supplier Device Package DPAK 

Описание

IGBT 9A 600V DPAK - IGBT 600V 9A 49W Surface Mount DPAK

IGBT транзисторы NGTB03N60R2DT4G

Datasheet NGTB03N60R2DT4G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
95.88 р. 
10 84.25 р. 
100 64.56 р. 
500 51.03 р. 
1,000 40.82 р. 
NGTB03N60R2DT4G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.