РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB20N120IHRWG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 79264
482.46 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 40A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 20A 
Power - Max 384W 
Switching Energy 450µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 225nC 
Td (on/off) @ 25°C -/235ns 
Test Condition 600V, 20A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 40A 384W TO247 - IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 384W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы NGTB20N120IHRWG

Datasheet NGTB20N120IHRWG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 102 шт.
Мин. кол-воЦена
482.46 р. 
10 433.30 р. 
100 355.04 р. 
500 302.24 р. 
1,000 254.90 р. 
NGTB20N120IHRWG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.