РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB20N120IHWG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80736
346.68 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 40A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A 
Power - Max 341W 
Switching Energy 480µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 150nC 
Td (on/off) @ 25°C -/170ns 
Test Condition 600V, 20A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247-3 

Описание

IGBT 20A 1200V TO-247 - IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 341W Through Hole TO-247-3

IGBT транзисторы NGTB20N120IHWG

Datasheet NGTB20N120IHWG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Мин. кол-воЦена
346.68 р. 
NGTB20N120IHWG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.