РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB25N120SWG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80192
488.58 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A 
Power - Max 385W 
Switching Energy 1.95mJ (on), 600µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 178nC 
Td (on/off) @ 25°C 87ns/179ns 
Test Condition 600V, 25A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 154ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247-3 

Описание

IGBT 25A 1200V TO-247 - IGBT Trench 1200V 50A 385W Through Hole TO-247-3

IGBT транзисторы NGTB25N120SWG

Datasheet NGTB25N120SWG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Мин. кол-воЦена
488.58 р. 
10 438.40 р. 
100 359.21 р. 
500 305.79 р. 
1,000 257.90 р. 
NGTB25N120SWG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.