РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB30N120IHLWG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 82459

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 320A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A 
Power - Max 260W 
Switching Energy 1mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 420nC 
Td (on/off) @ 25°C -/360ns 
Test Condition 600V, 30A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 30A TO247 - IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 260W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы NGTB30N120IHLWG

Datasheet NGTB30N120IHLWG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 15 шт.
Цена доступна по запросу
NGTB30N120IHLWG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.