РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB30N60L2WG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80749
361.30 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 100A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 30A 
Power - Max 225W 
Switching Energy 310µJ (on), 1.14mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 166nC 
Td (on/off) @ 25°C 100ns/390ns 
Test Condition 300V, 30A, 30 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 70ns 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247-3 

Описание

IGBT 600V 30A TO247 - IGBT 600V 100A 225W Through Hole TO-247-3

IGBT транзисторы NGTB30N60L2WG

Datasheet NGTB30N60L2WG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Мин. кол-воЦена
361.30 р. 
NGTB30N60L2WG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.