РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB30N60SWG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 82476

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A 
Power - Max 189W 
Switching Energy 750µJ (on), 540µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 90nC 
Td (on/off) @ 25°C 57ns/109ns 
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 200ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 600V 60A 189W TO247 - IGBT Trench Field Stop 600V 60A 189W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы NGTB30N60SWG

Datasheet NGTB30N60SWG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
NGTB30N60SWG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.