РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB40N60L2WG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80846
474.08 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 80A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.61V @ 15V, 40A 
Power - Max 417W 
Switching Energy 1.17mJ (on), 280µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 228nC 
Td (on/off) @ 25°C 98ns/213ns 
Test Condition 400V, 40A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 73ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 600V 80A 417W TO247 - IGBT Trench Field Stop 600V 80A 417W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы NGTB40N60L2WG

Datasheet NGTB40N60L2WG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Мин. кол-воЦена
474.08 р. 
NGTB40N60L2WG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.