РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB45N60S1WG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80592
235.78 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 90A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A 
Power - Max 300W 
Switching Energy 1.25mJ (on), 530µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 125nC 
Td (on/off) @ 25°C 72ns/132ns 
Test Condition 400V, 45A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 70ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247-3 

Описание

IGBT 45A 600V TO-247 - IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247-3

IGBT транзисторы NGTB45N60S1WG

Datasheet NGTB45N60S1WG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Мин. кол-воЦена
235.78 р. 
NGTB45N60S1WG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.