РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB50N120FL2WG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80060
999.60 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 100A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A 
Power - Max 535W 
Switching Energy 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 311nC 
Td (on/off) @ 25°C 118ns/282ns 
Test Condition 600V, 50A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 256ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 100A 535W TO247 - IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 535W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы NGTB50N120FL2WG

Datasheet NGTB50N120FL2WG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Мин. кол-воЦена
999.60 р. 
10 902.60 р. 
100 747.30 р. 
500 650.74 р. 
NGTB50N120FL2WG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.