РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTB50N65S1WG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80254
348.84 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 140A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 140A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A 
Power - Max 300W 
Switching Energy 1.25mJ (on), 530µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 128nC 
Td (on/off) @ 25°C 75ns/128ns 
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 70ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT TRENCH 650V 140A TO247 - IGBT Trench 650V 140A 300W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы NGTB50N65S1WG

Datasheet NGTB50N65S1WG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Мин. кол-воЦена
348.84 р. 
10 313.55 р. 
100 256.88 р. 
500 218.68 р. 
1,000 184.43 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.