| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 536W |
| Switching Energy | 610µJ (on), 1.2mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 310nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/157ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
IGBT FIELD STOP 650V TO247-4 - IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
IGBT транзисторы NGTB75N65FL2WAG
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 434.40 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.