РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTD30T120F2WP

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80776
396.81 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case Die 
Supplier Device Package Die 

Описание

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE - IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die

IGBT транзисторы NGTD30T120F2WP

Datasheet NGTD30T120F2WP (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Мин. кол-воЦена
396.81 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.