РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NGTG15N60S1EG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80121
144.84 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 30A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 15A 
Power - Max 117W 
Switching Energy 550µJ (on), 350µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 88nC 
Td (on/off) @ 25°C 65ns/170ns 
Test Condition 400V, 15A, 22 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220 

Описание

IGBT 600V 30A 117W TO220-3 - IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220

IGBT транзисторы NGTG15N60S1EG

Datasheet NGTG15N60S1EG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Мин. кол-воЦена
144.84 р. 
10 129.54 р. 
100 101.00 р. 
500 83.43 р. 
1,000 65.87 р. 
NGTG15N60S1EG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.