| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 59V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 35V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.69W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 - N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223
Транзисторы полевые NIF9N05CLT1G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.