| Manufacturer | Renesas Electronics America |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7050pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 - N-Channel 40V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263
Транзисторы полевые NP100N04PUK-E1-AY
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.