РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NP15P06SLG-E1-AY

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 133045

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 30W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 7.5A, 10V 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK) 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET P-CH 60V 15A TO-252 - P-Channel 60V 15A (Ta) 1.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)

Транзисторы полевые NP15P06SLG-E1-AY

Datasheet NP15P06SLG-E1-AY (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
NP15P06SLG-E1-AY
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.