Manufacturer | Renesas Electronics America |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 11A, 10V |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 - N-Channel 55V 22A (Ta) 1.2W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Транзисторы полевые NP22N055SLE-E1-AY
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.