| Manufacturer | Renesas Electronics America |
| Series | - |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 102W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON - P-Channel 30V 50A (Tc) 1W (Ta), 102W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Транзисторы полевые NP50P03YDG-E1-AY
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.