РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NP89N055PUK-E1-AY

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 134359

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 147W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 45A, 10V 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-263-3 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 - N-Channel 55V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-263-3

Транзисторы полевые NP89N055PUK-E1-AY

Datasheet NP89N055PUK-E1-AY (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.