Manufacturer | Renesas Electronics America |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 45A, 10V |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MOSFET N-CH 30V 90A TO-252 - N-Channel 30V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252
Транзисторы полевые NP90N03VLG-E1-AY
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.